| 发明名称 | 用于太阳能电池的层系统 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种用于薄层太阳能电池和太阳能模块的基于CIS吸收体的层系统(1)。根据本发明的层系统(1)具有由In<sub>2</sub>(S<sub>1-x</sub>，Se<sub>x</sub>)<sub>3+δ</sub>制成的缓冲层(4)，其中有0≤x≤1和-1≤δ≤1成立。此外第一缓冲层(5)被构造为非晶的。利用该缓冲层(5)克服了迄今为止常用的CdS缓冲体的缺点、即毒性和不良的工艺结合，其中除了高效率以外同时还实现高度的长时间稳定性，并且因此进而不存在从常规缓冲层到CdS替换缓冲层的缺点。 | ||
| 申请公布号 | CN102099929B | 申请公布日期 | 2014.04.30 |
| 申请号 | CN200980128365.X | 申请日期 | 2009.05.19 |
| 申请人 | 法国圣戈班玻璃厂有限公司 | 发明人 | J·帕尔姆 |
| 分类号 | H01L31/0336(2006.01)I;H01L31/032(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/0336(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 张涛;李家麟 |
| 主权项 | 一种用于薄层太阳能电池或太阳能电池模块的层系统（1），该层系统（1）包括吸收层（4）和第一缓冲层（5），其中吸收层（4）基于Cu(In,Ga)(S<sub>1－y</sub>,Se<sub>y</sub>）<sub>2</sub>化合物半导体材料形成，其中y≤1，其特征在于，第一缓冲层（5）包括In<sub>2</sub>(S<sub>1－x</sub>,Se<sub>x</sub>）<sub>3+δ</sub>，其中0≤x≤1和－1≤δ≤1成立，其中第一缓冲层（5）是非晶的，吸收层（4）的朝向第一缓冲层（5）的表面处的摩尔浓度的比例[S]/([Se]+[S])在10%至90%之间，并且其中与化学计量的偏差在－0.2至0之间。 | ||
| 地址 | 法国库伯瓦 | ||