一种沉积薄膜的方法、面板和显示器

摘要

本发明公开一种沉积薄膜的方法、面板和显示器，方法包括：在基体表面沉积一层铟锡氧化物薄膜；控制硅烷以第一流量输出，硅烷与氨气在铟锡氧化物薄膜上反应形成覆盖铟锡氧化物薄膜的氮化硅缓冲层；控制硅烷以大于第一流量的第二流量输出，硅烷与氨气反应形成氮化硅层，氧化硅层覆盖于氮化硅缓冲层上。在第一次沉积形成氮化硅缓冲层的过程中反应并不剧烈使得产生的氢与ITO薄膜中的氧发生反应较为困难，雾化现象很轻微；在第二次沉积氮化硅覆盖层过程中，由于产生的氢与ITO薄膜中的氧被氮化硅缓冲层隔绝，因此不会出现雾化现象，ITO薄膜和氮化硅薄膜界面处也能够杜绝出现金属析出物，从而改善了器件的表面平整度以及提高了透光率。

主权项

一种沉积薄膜的方法，其特征在于，包括：在基体表面沉积一层铟锡氧化物薄膜；基体温度290～450℃，射频功率4000～7000watt，间距900～1200密位，压力0.1～3托，控制硅烷以第一流量输出，所述硅烷与氨气在所述铟锡氧化物薄膜上反应形成覆盖所述铟锡氧化物薄膜的氮化硅缓冲层，所述第一流量为200～600标况毫升/分钟；基体温度290～450℃，射频功率4000～7000watt，间距900～1200密位，压力0.1～3托，控制硅烷以大于所述第一流量的第二流量输出，所述硅烷与氨气反应形成氮化硅覆盖层覆盖于所述氮化硅缓冲层上；所述氮化硅缓冲层与所述氮化硅覆盖层形成氮化硅薄膜沉积在所述铟锡氧化物薄膜上，所述第二流量为1400～1800标况毫升/分钟。