| 摘要 |
Flash-Speicherzelle (200), mit: einem Tunneloxidfilm (27), der an einem gegebenen Bereich eines SOI-Substrats (20) gebildet ist; einem Ladungseinfangfilm (28) auf dem Tunneloxidfilm; einem dielektrischen Film (29) auf dem Ladungseinfangfilm (28); ersten und zweiten Kanal-Bereichen (23a, 23b) an dem SOI-Substrat (20) unter beiden Enden des Ladungseinfangfilms (28); einem Source-Bereich (21), der zwischen den ersten und zweiten Kanal-Bereichen (23a, 23b) gebildet ist; erste und zweite Drain-Bereiche (25a, 25b) an dem SOI-Substrat (20) an beiden Seiten des Ladungseinfangfilms (28); eine auf dem dielektrischen Film (29) gebildete Wortleitung (31); und einem Source-Bereich (21), der zwischen den ersten und zweiten Kanal-Bereichen (23a, 23b) gebildet ist, wobei sich der Source-Bereich (21) unterhalb des Ladungseinfangfilms (28) befindet, und wobei Daten von zwei Bits oder vier Bits in einer einzigen Zelle gespeichert werden können, indem Elektronen individuell in den Ladungseinfangfilm (28) auf den ersten und zweiten Kanal-Bereichen (23a, 23b) eingespeist werden, oder die eingespeisten Elektronen entladen werden, abhängig von an den Source-Bereich (21), die Wortleitung (31) und die ersten und zweiten Drain-Bereiche (25a, 25b) angelegten Spannungen. |
