| 发明名称 | 薄膜晶体管 | ||
| 摘要 | 本发明的目的在于提供一种薄膜晶体管，其具有高迁移率、高on-off比并且能够有效地制造。本发明提供一种薄膜晶体管(1)，其具有源电极(50)、漏电极(60)及栅电极(20)、栅绝缘膜(30)、由氧化物半导体构成的沟道层(40)，所述沟道层(40)的平均载流子浓度为1×10<sup>16</sup>/cm<sup>3</sup>～5×10<sup>19</sup>/cm<sup>3</sup>的范围，在所述沟道层(40)的所述栅绝缘膜(30)侧，具有比所述平均载流子浓度高的高载流子浓度区域(42)，所述沟道层(40)实质上具有相同的组成。 | ||
| 申请公布号 | CN103765596A | 申请公布日期 | 2014.04.30 |
| 申请号 | CN201280039028.5 | 申请日期 | 2012.08.08 |
| 申请人 | 出光兴产株式会社 | 发明人 | 霍间勇辉;江端一晃;笘井重和;松崎滋夫 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;C01G15/00(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/363(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 蒋亭 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，其具有：源电极、漏电极及栅电极；栅绝缘膜；以及由氧化物半导体构成的沟道层，所述沟道层的平均载流子浓度为1×10<sup>16</sup>/cm<sup>3</sup>～5×10<sup>19</sup>/cm<sup>3</sup>的范围，在所述沟道层的所述栅绝缘膜侧，具有比所述平均载流子浓度高的高载流子浓度区域，所述沟道层实质上具有同等的组成。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||