有源矩阵型显示装置

摘要

本发明涉及一种有源矩阵型显示装置，课题是：作为液晶显示装置或者有机EL显示装置的像素TFT，使用了跟无定形硅相比电场效应迁移率更大的无定形的金属氧化物系半导体或者有机半导体时，由过充电效应的增大所引起的闪烁程度的增大和画面亮度的均匀性低下，由此导致的显示质量降低，对其进行抑制。解决方法是：重新导出闪烁和烧坏等视认性较高的中间调显示中的穿通电压和作为过充电效应指标的对置电极电位的面内差异之间的关系式，将以此为基础新导出的对置电极电位的面内差异降低至容许极限值以下，设计成满足上述条件。

主权项

一种液晶显示装置，其特征在于：多条扫描信号线和多条显示信号线互相通过绝缘膜配置，在由所述扫描信号线和显示信号线所围成的、配置成矩阵状的各像素区域中，具有：晶体管，其包含有源电极、与所述扫描信号线相连接的栅电极以及与所述显示信号线相连接的漏电极，其半导体层的电场效应迁移率大于等于1cm2/Vs并且小于等于70cm2/Vs；像素电极，其与所述源电极相连接；辅助电容线，其与所述扫描信号线大致平行地配置；第一基板，其含有辅助电容，所述辅助电容通过绝缘膜在所述像素电极、所述像素电极的延伸部和与所述像素电极电气连接的电极中的任意一项和所述辅助电容线之间的交叉区域中，或者和相邻的上段或者下段的所述扫描信号线之间的交叉区域中构成；第二基板，其配置成与该第一基板一起夹住液晶层；对置电极，其夹住所述液晶层、与所述像素电极电气对置并配置于所述第一基板或者第二基板上；在这样的有源矩阵型的液晶显示装置中，所述对置电极的电位表示为Vcom，所述晶体管在ON状态和OFF状态下的栅电极电位分别表示为Vgh和Vgl，所述晶体管的栅源间电容和负载电容分别表示为Cgs和Cload，此时的穿通电压ΔVp表示为式（1A），ΔVp=(Cgs/Cload)(Vgh－Vgl)...(1A)画面亮度为最大亮度n%时的液晶层外加电压表示为Vn，此时Vn所对应的穿通电压表示为ΔVp,vn，该ΔVp,vn的设计值表示为ΔVp,vntyp，显示画面上的任意位置上Vn的闪烁最小时的Vcom表示为Vcom,opt，从离所述扫描信号线的供电电极最远的像素的Vcom,opt减去最近的像素的Vcom,opt后的值表示为δVcom,opt，该δVcom,opt的设计值即δVcom,typ表示为式（1B），其中α、β、γ分别为系数，δVcom,typ=(α·ΔVp,vntyp＋β)γ...(1B)δVcom,opt的容许变化范围的上限值和下限值分别表示为ξ+和ξ‑，所述ξ+和ξ‑对应的ΔVp,vn分别表示为ΔVp,vn‑和ΔVp,vn+，ΔVp,vn的变化量对应的δVcom,opt的变化量的比例表示为η时，其满足式（1C）和式（1D），(ΔVp,vn+)－ΔVp,vntyp≦{(ξ‑)－(α·ΔVp,vntyp＋β)γ}/η...(1C)ΔVp,vntyp－(ΔVp,vn‑)≦{(α·ΔVp,vntyp＋β)γ－(ξ+)}/η...(1D)。