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Vorrichtung zum Aufwachsenlassen epitaktischer Schichten auf einem Wafer mit einer Kammer, einem in der Kammer montierten Waferträger zum Montieren von wenigstens einem Wafer auf ihm und einem in der Kammer montierten Heizelement zum Erhitzen des Wafers auf eine vorbestimmte Temperatur zum Aufwachsenlassen der epitaktischen Schicht auf ihm, wobei das Heizelement eine Vielzahl von Heizdrähten umfasst, wobei die Heizdrähte in derselben Ebene liegen und räumlich parallel zu und den Umfang betreffend auf den Waferträger ausgerichtet angeordnet sind. |
