摘要 |
1. Фотоэлектрический модуль, включающий:базовую подложку;фотоэлектрическое устройство, расположенное в контакте с указанной базовой подложкой и содержащее металлический компонент;поли(винилбутиральный) слой, расположенный в контакте с указанным фотоэлектрическим устройством и включающий 1Н-бензотриазол или соль 1Н-бензотриазола; изащитную подложку, расположенную в контакте с указанным поли(винилбутиральным) слоем.2. Модуль по п.1, отличающийся тем, что указанное фотоэлектрическое устройство является тонкопленочным фотоэлектрическим устройством.3. Модуль по п.2, отличающийся тем, что указанный поли(винилбутиральный) слой включает от 0,001 до 5 весовых процентов 1Н-бензотриазола.4. Модуль по п.2, отличающийся тем, что указанный поли(винилбутиральный) слой включает от 0,1 до 0,4 весовых процентов 1Н-бензотриазола.5. Модуль по п.2, отличающийся тем, что указанный поли(винилбутиральный) слой включает от 1 до 5 весовых процентов 1Н-бензотриазола.6. Модуль по п.2, отличающийся тем, что указанный поли(винилбутиральный) слой дополнительно включает фенольный антиоксидант.7. Модуль по п.2, отличающийся тем, что указанным металлом является висмут, медь, кадмий, свинец, олово, цинк, серебро, золото, индий, палладий, платина, алюминий, сурьма, хром, железо, никель, родий, тантал, титан или ванадий.8. Модуль по п.2, отличающийся тем, что указанным металлом является серебро.9. Модуль по п.2, отличающийся тем, что указанный металлический компонент используется в качестве проводящего слоя.10. Полимерный промежуточный слой, включающий поли(винилбутиральный) лист, включающий от 0,001 до 5 весовых процентов 1Н-бензотриазола.11. Промежуточный слой по п.10, отл� |