| 摘要 |
1. Мощный ограничительный диод, включающий омические контакты, средство для теплоотвода и многослойную эпитаксиальную структуру, отличающийся тем, что средство для теплоотвода выполнено из теплопроводящего слоя CVD поликристаллического алмаза, на поверхности которого нанесен гальваническим осаждением слой из золота, на слое из золота последовательно расположены выполненные в виде островков высотой 2-2,5 мкм эпитаксиальные слои - сильнолегированный слой n+ из нитрида галлия, нелегированный слой из нитрида галлия и сильнолегированный слой p+ из нитрида галлия, кроме того, диод дополнительно имеет защитное покрытие, выполненное из теплопроводящего изолирующего CVD поликристаллического алмаза.2. Диод по п.1, отличающийся тем, что на поверхности омического контакта выполнен слой из золота. |
