| 摘要 |
<p>L'invention concerne un capteur d'image spécialement adapté à la vision en faible de lumière (vision de nuit notamment). Le capteur est formé sur une puce de circuit intégré (IC) à partir d'un substrat de silicium. Il comprend : - une matrice (MP) de lignes et colonnes de pixels actifs comprenant chacun au moins une photodiode et des transistors, - des circuits (CTRL) de commande de la matrice, extérieurs à la matrice, et des circuits (RD) de lecture de signal, extérieurs à la matrice. Les photodiodes du capteur sont formées dans une couche active de silicium monocristallin dont la résistivité est d'au moins 500 ohms.cm si cette couche active est une couche épitaxiée sur le substrat de silicium et d'au moins 2 000 ohms.cm si cette couche active est constituée par la partie supérieure du substrat de silicium. Les circuits de commande (CTRL) et les circuits de lecture (RD) du capteur sont formés dans au moins un caisson global dopé (DPW), de même type que la couche active de silicium monocristallin et ayant une résistivité inférieure ou égale à 30 ohms.cm, ce caisson étant formé dans la couche active et n'incluant pas la matrice.</p> |
