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Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung, enthaltend die folgenden Schritte: Vorbereiten eines Halbleiterelements (10; 15; 105) mit mindestens einer ersten Elektrode (10g) und mindestens einer zweiten Elektrode (10ea; 10eb), wobei die erste Elektrode (10g) und die zweite Elektrode (10ea; 10eb) in derselben Fläche durch eine Isolierschicht (10i; 15i) elektrisch getrennt sind; Halten eines blattförmigen ersten leitfähigen Kontaktierungsmaterials durch die Isolierschicht (10i; 15i) dergestalt, dass es der ersten Elektrode (10g) und der zweiten Elektrode (10ea; 10eb) gegenüberliegt; Anordnen eines unteren Endes mindestens einer ersten Stiftelektrode (31g) über der ersten Elektrode (10g) und eines unteren Endes mindestens einer zweiten Stiftelektrode (31ea; 31eb), über der zweiten Elektrode (10ea; 10eb), wobei das erste leitfähige Kontaktierungsmaterial dazwischen liegt und die mindestens eine erste Stiftelektrode (31g) und die mindestens eine zweite Stiftelektrode (31ea; 31eb) mit einer auf einer Verdrahtungsplatte (30) angeordneten Verdrahtungsschicht (30c; 30v) elektrisch verbunden sind; und Auftrennen des ersten leitfähigen Kontaktierungsmaterials mit dazwischenliegender Isolierschicht (10i; 15i) und Kontaktieren der ersten Elektrode (10g) und der ersten Stiftelektrode (31g), wobei die erste leitfähige Kontaktierungsschicht (11g) dazwischenliegt, und Kontaktieren der zweiten Elektrode (10ea; 10eb) und der zweiten Stiftelektrode (31ea; 31eb), wobei eine zweite leitfähige Kontaktierungsschicht (11ea; 11eb) dazwischenliegt. |
