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Ein Verfahren zum Bilden von einer Durchkontaktierung (612) in einer integrierten Schaltung eines Halbleiterpackages, umfassend: Entfernen von Material von einem Silizium-Chip (602); und Verwenden einer Elektroplattier-Technik zum Bilden einer elektrisch leitfähigen Durchkontaktierung (612) aus einem elektrisch leitfähigen Material, das von dem des Chip unterschiedlich ist, in dem Chip, wobei das elektrisch leitfähige Material der elektrisch leitfähigen Durchkontaktierung ein Komposit einer elektrisch leitfähigen Matrix, die eine elektrisch leitfähige kontinuierliche Phase bildet, und eingebetteter Partikel, die eine dispergierte Phase innerhalb der elektrisch leitfähigen Matrix bilden, ist, wobei die eingebetteten Partikel einen reduzierten CTE relativ zum CTE der elektrisch leitfähigen Matrix aufweisen, wobei das Elektroplattieren weiter Anlegen eines Treiberpotentials an eine erste Konzentration der eingebetteten Partikel zur Verursachung einer zweiten Konzentration der eingebetteten Partikel in dem Material der elektrisch leitfähigen Durchkontaktierung umfasst. |
