半硬质磁性材料和使用其而成的防盗用磁传感器及半硬质磁性材料的制造方法

摘要

本发明提供一种将防盗用磁传感器的磁偏条带所要求的矫顽力和剩余磁通密度维持在与现有的半硬质磁性材料相同的范围内、且降低了Ni含量的资源节约型的半硬质磁性材料和使用其而成的防盗用磁传感器及半硬质磁性材料的制造方法。该半硬质磁性材料是按质量％计包含Ni：5.0％以上且小于13.0％、Mn：0.5％以上且4.0％以下、Al：超过0％且3.0％以下、Ti：超过0％且1.0％以下，余量为Fe和杂质，矫顽力为1000～2400A／m，剩余磁通密度为1.3T以上。所述的半硬质磁性材料的制造方法是对冷轧后的薄板于520～680℃的温度范围内进行时效处理而使矫顽力为1000～2400A／m、剩余磁通密度为1.3T以上的半硬质磁性材料的制造方法。

主权项

一种半硬质磁性材料，其特征在于，按质量％计包含Ni：5.0％以上且小于13.0％、Mn：0.5％以上且4.0％以下、Al：超过0％且3.0％以下、Ti：超过0％且1.0％以下，余量为Fe和杂质，矫顽力为1000～2400A／m，剩余磁通密度为1.3T以上。