| 发明名称 | 具有应变沟道的晶体管制备方法以及具有应变沟道的晶体管 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种具有应变沟道的晶体管制备方法以及具有应变沟道的晶体管。所述方法包括如下步骤：提供衬底，所述衬底包括器件层；形成晶体管，包括在器件层中形成源极和漏极，并在器件层表面形成栅极；在器件层表面形成绝缘保护层；在所述绝缘保护层表面形成应力层；使晶体管栅极导电沟道所在位置的器件层悬空，器件层在应力层的作用下发生卷曲，从而使晶体管栅极导电沟道发生张应变。本发明的优点在于，栅极所在区域的器件层自由卷曲，器件层在张应力的作用下发生应变，该应变是由物理形变引入的，因此应变稳定，不易消失。 | ||
| 申请公布号 | CN103745928A | 申请公布日期 | 2014.04.23 |
| 申请号 | CN201310720622.7 | 申请日期 | 2013.12.24 |
| 申请人 | 上海新傲科技股份有限公司 | 发明人 | 魏星;母志强;薛忠营;狄增峰;方子韦 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人 | 孙佳胤;翟羽 |
| 主权项 | 一种具有应变沟道的晶体管制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供衬底，所述衬底包括支撑层、支撑层表面的埋层以及埋层表面的器件层；形成晶体管，包括在器件层中形成源极和漏极，并在器件层表面形成栅极；在器件层表面形成绝缘保护层，所述绝缘保护层亦覆盖所述栅极；在所述绝缘保护层表面形成应力层，所述应力层能够在器件层中引入张应力；通过去除部分器件层以及部分埋层的方式使晶体管栅极导电沟道所在位置的器件层悬空，器件层在应力层的作用下发生卷曲，从而使晶体管栅极导电沟道发生张应变。 | ||
| 地址 | 201821 上海市嘉定区普惠路200号 | ||