一种ESD保护器件及适用于电池管理芯片的ESD电路

摘要

本发明涉及ESD技术领域，公开了一种ESD保护器件及适用于电池管理芯片的ESD电路。其中，ESD保护器件包括：衬底、埋入层、高压N阱区、高压P阱区、低压P阱区及低压NMOS管；埋入层在衬底上；高压P阱区在埋入层上；低压P阱区在高压P阱区上；低压NMOS管在低压P阱区内；高压N阱区在高压P阱区的外部，并与埋入层接触；低压NMOS管的栅极与源极连接，并连接到高压P阱区上作为保护器件的正极；低压NMOS管的漏极与高压N阱区连接，作为保护器件的负极。本发明中的ESD保护器件的两端均可以接高电平，ESD电路中的ESD保护器件一一对应地与电池的两端连接，实现了对电池管理芯片的ESD保护。

主权项

一种ESD保护器件，其特征在于，包括：衬底、埋入层、高压N阱区、高压P阱区、低压P阱区及低压NMOS管；所述埋入层在所述衬底上；所述高压P阱区在所述埋入层上；所述低压P阱区在所述高压P阱区上；所述低压NMOS管在所述低压P阱区内；所述高压N阱区在所述高压P阱区的外部，并与所述埋入层接触；所述低压NMOS管的栅极与源极连接，并连接到所述高压P阱区上作为保护器件的正极；所述低压NMOS管的漏极与所述高压N阱区连接，作为保护器件的负极。