二极管

摘要

本发明提供一种二极管的制造方法以及二极管，该制造方法能够高效率地制造不易产生恢复浪涌电压的二极管。所述制造方法为如下的二极管的制造方法，所述二极管具有：高浓度n型半导体层；中浓度n型半导体层，其被形成在高浓度n型半导体层上；低浓度n型半导体层，其被形成在中浓度n型半导体层上；p型半导体层，其被形成在低浓度n型半导体层上。该制造方法具有：在n型半导体基板上，使n型杂质浓度低于n型半导体基板的低浓度n型半导体层外延生长的工序；通过向n型半导体基板的下表面注入n型杂质，从而形成高浓度n型半导体层的工序。

主权项

一种二极管，具有：高浓度n型半导体层；第1中浓度n型半导体层，其被形成在高浓度n型半导体层上；第2中浓度n型半导体层，其被形成在第1中浓度n型半导体层上；低浓度n型半导体层，其被形成在第2中浓度n型半导体层上；p型半导体层，其被形成在低浓度n型半导体层上，其中，高浓度n型半导体层的n型杂质浓度NH、第1中浓度n型半导体层的n型杂质浓度NM1、第2中浓度n型半导体层的n型杂质浓度NM2、低浓度n型半导体层的n型杂质浓度NL，满足如下关系，即，NL＜NM1＜NM2＜NH，所述二极管的特征在于，第1中浓度n型半导体层由n型半导体基板形成，第2中浓度n型半导体层为，通过外延生长而形成的层，低浓度n型半导体层为，通过外延生长而形成的层，第2中浓度n型半导体层的厚度以及n型杂质浓度，与低浓度n型半导体层的厚度以及n型杂质浓度被调节成，当二极管中被施加了反向电压时，耗尽层在第2中浓度n型半导体层中停止。