| 发明名称 | 存储器内建自测方法以及存储器错误检查方法 | ||
| 摘要 | 本发明在以内建自测试模块和测试IO接口所占芯片面积最小的情况下，提供了一种基于以扇区为单位做修补和替换的存储器内建自测方法以及存储器错误检查方法，以达到最少芯片成本，最快测试速度和最少测试费用。该存储器内建自测方法包括：利用内建自测模块，从第一个扇区至最后一个扇区，逐个扇区地进行数据读取，并且在每个扇区读取之后，通过内建自测模块输出所读取的扇区的通过/未通过信息。 | ||
| 申请公布号 | CN103745752A | 申请公布日期 | 2014.04.23 |
| 申请号 | CN201410010311.6 | 申请日期 | 2014.01.09 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 钱亮 |
| 分类号 | G11C29/12(2006.01)I | 主分类号 | G11C29/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种基于以扇区为单位做修补和替换的存储器内建自测方法，其特征在于包括：利用内建自测模块，从第一个扇区至最后一个扇区，逐个扇区地进行数据读取，并且在每个扇区读取之后，通过内建自测模块输出所读取的扇区的通过/未通过信息。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||