| 发明名称 | 加工半导体结构的方法 | ||
| 摘要 | 根据本发明各实施例的方法包括提供包括生长在生长衬底上的半导体结构的晶片，该半导体结构包括夹在n型区域和p型区域之间的III族氮化物发光层。该晶片结合到第二衬底。该生长衬底被移除。在将该晶片结合到该第二衬底之后，该晶片被加工成多个发光器件。 | ||
| 申请公布号 | CN103748696A | 申请公布日期 | 2014.04.23 |
| 申请号 | CN201280041603.5 | 申请日期 | 2012.08.21 |
| 申请人 | 皇家飞利浦有限公司 | 发明人 | J.C.布哈特;D.A.斯泰格瓦尔德;M.D.坎拉斯;H.H.蔡;N.F.加德纳;O.B.斯彻金 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I;H01L33/50(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 李亚非;汪扬 |
| 主权项 | 一种方法，包括：提供包括生长在生长衬底上的半导体结构的晶片，该半导体结构包括夹在n型区域和p型区域之间的III族氮化物发光层；将该晶片结合到第二衬底，其中该第二衬底是透明的；移除该生长衬底；以及在将该晶片结合到该第二衬底之后，将该晶片加工为多个发光器件。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||