发明名称 一种基于多铁复合陶瓷材料磁电复合效应的磁场测量装置
摘要 本发明涉及一种磁场测量装置,特别是一种基于多铁复合陶瓷材料磁电效应的磁场测量装置。其包括密封的磁屏蔽金属壳体,包括电源模块,信号处理模块,A/D转换模块,控制芯片单片机,显示模块和报警装置在内的内部磁场测量电路和磁场探测元件;其中,电源模块与信号处理模块、A/D转换模块、控制芯片单片机、显示模块和报警装置连接,提供所需的电压;磁场探测元件和信号处理模块连接,信号处理模块和A/D转换模块相连;A/D转换模块、显示模块、报警装置和控制芯片单片机连接。本发明利用复合多铁陶瓷材料的磁电耦合效应制作交流磁场强度检测装置,检测的交流磁场频率宽,精度高,灵敏度好,体积小,易于携带,成本低。
申请公布号 CN103744036A 申请公布日期 2014.04.23
申请号 CN201310188353.4 申请日期 2013.05.21
申请人 常州大学 发明人 李坤;施东良;张雪松;陈王丽华
分类号 G01R33/06(2006.01)I 主分类号 G01R33/06(2006.01)I
代理机构 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人 楼高潮
主权项 一种基于多铁复合陶瓷磁电耦合效应的磁场测量装置,包括密封的磁屏蔽金属壳体,包括电源模块,信号处理模块,A/D转换模块,控制芯片单片机,显示模块和报警装置在内的内部磁场测量电路和磁场探测元件,内部磁场测量电路置于密封的磁屏蔽金属壳体内;其中,电源模块与信号处理模块、A/D转换模块、控制芯片单片机、显示模块和报警装置连接,提供所需的电压;磁场探测元件和信号处理模块连接,信号处理模块和A/D转换模块相连;A/D转换模块、显示模块、报警装置和控制芯片单片机连接,其特征在于:所述的磁场探测元件包括陶瓷/陶瓷基多铁复合陶瓷材料、PLZT陶瓷和同轴电缆,陶瓷/陶瓷基多铁复合陶瓷材料为CFO/PLZT复合陶瓷材料,置于PLZT陶瓷上方,从PLZT陶瓷上下两面接出引线,引出的导线通过同轴电缆连接BNC子头,构成可拔插式的探头,插入信号处理模块中的BNC母头上;所述的信号处理模块包括集成运放芯片U1,第三电阻R3,第二电容C2,第一电容C1,第四电容C4,第三电容C3,电阻R1,电阻R2,电阻R4,电阻R6,第五电阻R5,肖特基二极管D1,D2,D3,D4,接插P2,三极管Q1;接插件P2的第一端口接集成运放U1的第三端口3,接插件P2的第二端口接地,集成运放U1的第七端口7接电源正极,集成运U1的第四端口接电源负极,集成运放U1的输出端6接集成运放的第二端口2,集成运放的第六端口6接第三电阻R3的一端,第三单电阻的另一端接第二电容C2的负极,第二电容的另一端接三极管Q1的基极,三极管的基极接电阻R1的一端,R1的另一端接12V电源正极,三极管Q1的基极接电阻R4的一端;电阻R4的另一端接地,三极管Q2的发射极接电子R6的一端,电阻R6的另一端接地,三极管Q2的集电极接电阻R2的一端,电阻R2的另一端接电源12V的正极,第三电容C3的正极接三极管Q2的发射极,第四电容的负极接地,第四电容的正极接三极管Q2的集电极,第一电容的负极接肖特基二极管D1的负极,肖特基二极管D1、D3的正极相连,肖特基二极管D2、D3的负极相连,肖特基二极管D3的负极连接肖特基二极管D4的正极,肖特基二极管D1的负极连接肖特基二极管D2的正极,肖特基二极管D3的负极接地,肖特基二极管D2的负极接电容R5的正极,肖特基二极管D3的正极接电容C3的负极,电容C3的正极接电阻R5的一端,电容C3的负极接电阻R5的另一端,电容C3的正极接A/D模块中A/D转换芯片U2的第二管脚。
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