发明名称 |
一种基于温度补偿的SRAM灵敏放大器 |
摘要 |
本发明公开了一种基于温度补偿的SRAM灵敏放大器,包括一个电流镜电路,所述电流镜电路由晶体管<img file="2013107230404100004DEST_PATH_IMAGE002.GIF" wi="24" he="15" />和晶体管<img file="2013107230404100004DEST_PATH_IMAGE004.GIF" wi="25" he="15" />,所述晶体管<img file="DEST_PATH_IMAGE002A.GIF" wi="24" he="15" />的漏极与DummyleakageNMOS连接,所述晶体管<img file="DEST_PATH_IMAGE004A.GIF" wi="25" he="15" />漏极通过DBL与时序控制电路FSMlogic电路连接,所述时序控制电路FSMlogic电路与灵敏放大器SA连接,放电电路SINK连接在所述DBL上,所述放电电路SINK还与DWL连接,所述DWL与WL连接,所述WL上接有存储单元cell,所述存储单元cell通过一对位线BL和BLB连接在所述灵敏放大器SA上。采用本发明技术方案,保证了在温度变化时,漏电流较大的情况下,SRAM读操作的准确性。 |
申请公布号 |
CN103745743A |
申请公布日期 |
2014.04.23 |
申请号 |
CN201310723040.4 |
申请日期 |
2013.12.25 |
申请人 |
苏州宽温电子科技有限公司 |
发明人 |
翁宇飞;李二亮;张其笑;李有忠;王子欧 |
分类号 |
G11C11/413(2006.01)I |
主分类号 |
G11C11/413(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
1.一种基于温度补偿的SRAM灵敏放大器,包括一个电流镜电路,N个Dummy leakage NMOS且N=1,2,3,…,一个放电电路SINK和一个时序控制电路FSM logic电路,其特征在于,所述电流镜电路由晶体管<img file="2013107230404100001DEST_PATH_IMAGE002.GIF" wi="24" he="15" />和晶体管<img file="2013107230404100001DEST_PATH_IMAGE004.GIF" wi="25" he="15" />,所述晶体管<img file="DEST_PATH_IMAGE002A.GIF" wi="24" he="15" />的漏极与所述N个Dummy leakage NMOS连接,所述晶体管<img file="DEST_PATH_IMAGE004A.GIF" wi="25" he="15" />漏极通过时序追踪位线DBL与所述时序控制电路FSM logic电路连接,所述时序控制电路FSM logic电路与灵敏放大器SA连接,所述放电电路SINK连接在所述时序追踪位线DBL上,所述放电电路SINK还与追踪字线DWL连接,所述追踪字线DWL与字线WL连接,所述字线WL上接有存储单元cell,所述存储单元cell通过一对位线BL和BLB连接在所述灵敏放大器SA上。 |
地址 |
215000 江苏省苏州市吴中区木渎镇中山东路70号2307室 |