| 发明名称 | 一种基于N型注入层的IGBT芯片 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及半导体器件技术，具体涉及一种基于N型注入层的IGBT芯片。IGBT芯片包括有源区、终端区和栅极区，在所述有源区和所述终端区均设有N型注入层；本实用新型中在IGBT设计时引入N型注入层，优化了终端区的设计，降低了终端区的尺寸。同时降低了有源区的饱和电压，提高了芯片的电流能力。本实用新型在不影响IGBT芯片其他性能的前提下，通过引入N型注入层，优化IGBT芯片各功能区域的比例，提高了IGBT芯片的电流能力。 | ||
| 申请公布号 | CN203562430U | 申请公布日期 | 2014.04.23 |
| 申请号 | CN201320678868.8 | 申请日期 | 2013.10.30 |
| 申请人 | 国家电网公司;国网上海市电力公司;国网智能电网研究院 | 发明人 | 刘江;包海龙;张宇;刘隽;车家杰;赵哿;高明超;金锐 |
| 分类号 | H01L29/739(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/739(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人 | 徐国文 |
| 主权项 | 一种基于N型注入层的IGBT芯片，所述IGBT芯片包括有源区、终端区和栅极区，其特征在于，在所述有源区和所述终端区均设有N型注入层。 | ||
| 地址 | 100031 北京市西城区西长安街86号 | ||