一种InGaN基多量子阱结构及其制备方法

摘要

本发明涉及一种InGaN基多量子阱结构，通过在所述GaN垒层上面依次生长所述In组分渐增量子阱层与Si掺杂的GaN垒层呈交替排布的多层结构，之后沿生长方向进一步包括所述In组分固定的量子阱层、In组分递减垒层和GaN垒层呈周期性排布的多层结构，从而本发明所述的InGaN基多量子阱结构能够有效缓解少垒和阱界面处的应力，缓解能带的弯曲，控制电子和空穴的辐射复合区域，提高电子和空穴的注入效率和辐射复合效率，从而有利于进一步获得晶体质量好、内量子效率高、发光效率高的GaN基LED结构，并且其发光峰的半高宽较小，发出光波长较均一。

主权项

一种InGaN基多量子阱结构，其特征在于，其结构沿生长方向依次为：第一GaN垒层、第一In组分渐增量子阱层、第一Si掺杂的GaN垒层、第二In组分渐增量子阱层、第二Si掺杂的GaN垒层、第三In组分渐增量子阱层、第三Si掺杂的GaN垒层、第一固定In组分的量子阱层、第一In组分递减垒层、第二GaN垒层、第二固定In组分的量子阱层、第二In组分递减垒层、第三GaN垒层、第三固定In组分的量子阱层、第三In组分递减垒层、第四GaN垒层；所述第一、第二、第三In组分渐增量子阱层分别为In_xGa_1‑xN量子阱层、In_yGa_1‑yN量子阱层、In_zGa_1‑zN量子阱层，其中x、y、z沿生长方向呈连续性增加；所述第一、第二、第三In组分递减垒层分别为In_wGa_1‑wN垒层、In_mGa_1‑mN垒层、In_nGa_1‑nN垒层；其中w、m、n分别沿生长方向逐渐减小；所述第一、第二、第三固定In组分的量子阱层为In_vGa_1‑vN量子阱层，v沿生长方向固定不变。