| 发明名称 | AlGaN/GaN混合型MOS-HFET | ||
| 摘要 | 一种场效应晶体管（FET）包括源极和漏极、沟道层、沟道层上方的势垒层、覆盖势垒层以对其进行钝化的钝化层、贯穿势垒层和钝化层的栅极、以及包围栅极中贯穿势垒层和钝化层部分的栅极介电层，其中所述钝化层为第一材料而栅极介电层为第二材料并且第一材料和第二材料不同。 | ||
| 申请公布号 | CN103748687A | 申请公布日期 | 2014.04.23 |
| 申请号 | CN201280032653.7 | 申请日期 | 2012.05.14 |
| 申请人 | HRL实验室有限责任公司 | 发明人 | 安德烈娅·科里翁;卡里姆·S·保特罗斯;玛莉·Y·郑;赛缪尔·J·金;储荣明;肖恩·D·伯纳姆 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 陈源;崔利梅 |
| 主权项 | 一种场效应晶体管（FET），包括：源极；漏极；沟道层；势垒层，位于所述沟道层之上，并与源极和漏极耦接；钝化层，位于所述势垒层之上，用于钝化栅极与源极之间、栅极与漏极之间的势垒层；栅极，贯穿所述势垒层与所述钝化层；并且栅极介电层，包围所述栅极的贯穿势垒层与钝化层的部分；其中所述钝化层为第一材料而所述栅极介电层为第二材料；并且其中所述第一材料不同于所述第二材料。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||