相变随机存取存储器的菱形式四电阻器单元

摘要

本发明涉及相变随机存取存储器的菱形式四电阻器单元。本发明揭示一种形成相变随机存取存储器PRAM单元的方法及相变随机存取存储器PRAM单元的结构。所述PRAM单元包括：底部电极；加热器电阻器，其耦合到所述底部电极；相变材料PCM，其形成于所述加热器电阻器之上且耦合到所述加热器电阻器；及顶部电极，其耦合到所述相变材料。所述相变材料接触所述加热器电阻器的垂直表面的一部分及所述加热器电阻器的水平表面的一部分，以形成所述加热器电阻器与所述相变材料之间的作用区域。

主权项

一种形成相变随机存取存储器PRAM单元的方法，所述方法包含：形成加热器电阻器；及在所述加热器电阻器的作用区域之上形成相变材料PCM，其中所述加热器电阻器的所述作用区域包括所述加热器电阻器的垂直表面的一部分及所述加热器电阻器的水平表面的一部分。