| 发明名称 | OTP器件结构及其加工方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种OTP器件结构，该OTP器件结构包括：衬底；形成在所述衬底上的薄栅氧低压存储器件和厚栅氧高压选择器件；所述薄栅氧低压存储器件包括形成在所述衬底之中的有源区，以及覆盖在所述有源区之上的薄栅氧化层和叉指型栅极，其中所述叉指型栅极包括多条栅极线。一种OTP器件结构，该OTP器件包括：衬底；形成在所述衬底上的薄栅氧低压存储器件和厚栅氧高压选择器件；所述薄栅氧低压存储器件包括形成在所述衬底之中的叉指型有源区，以及覆盖在所述叉指型有源区之上的薄栅氧化层和栅极，其中所述叉指型有源区内包括多块长条区域，该多块长条区域沿栅长方向延伸。本发明还提供了一种OTP存储结构。 | ||
| 申请公布号 | CN103745977A | 申请公布日期 | 2014.04.23 |
| 申请号 | CN201410016428.5 | 申请日期 | 2014.01.14 |
| 申请人 | 创飞有限公司 | 发明人 | 王志刚;李弦 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人 | 冯谱 |
| 主权项 | 一种OTP器件结构，该OTP器件结构包括：衬底；形成在所述衬底上的薄栅氧低压存储器件和厚栅氧高压选择器件；所述薄栅氧低压存储器件包括形成在所述衬底之中的有源区，以及覆盖在所述有源区之上的薄栅氧化层和叉指型栅极，其中所述叉指型栅极包括多条栅极线。 | ||
| 地址 | 中国香港中环德辅道中173号南丰大厦510-511房间 | ||