| 发明名称 | 一种高质量晶体生长方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种晶体生长方法，包括：a）提供籽晶原料；b）将所述籽晶原料在第一条件下熔融；得到熔融料；所述第一条件为抽真空或抽真空后再置于保护气氛；c）将所述熔融料在第二条件下进行长晶；所述第二条件为抽真空或抽真空后再置于保护气氛；d）将步骤c）长晶后得到的粗晶进行退火并降温降至室温，得到晶体。本发明提供的晶体生长方法制备的晶体质量高、一致性好，稳定性高。 | ||
| 申请公布号 | CN103741207A | 申请公布日期 | 2014.04.23 |
| 申请号 | CN201310702847.X | 申请日期 | 2013.12.19 |
| 申请人 | 江苏吉星新材料有限公司 | 发明人 | 宁凯杰;王禄堡 |
| 分类号 | C30B11/14(2006.01)I;C30B33/02(2006.01)I;C30B29/20(2006.01)I | 主分类号 | C30B11/14(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258 | 代理人 | 季萍 |
| 主权项 | 一种晶体生长方法，其特征在于，包括：a）提供籽晶原料；b）将所述籽晶原料在第一条件下熔融；得到熔融料；所述第一条件为抽真空或抽真空后再置于保护气氛；c）将所述熔融料在第二条件下进行长晶；所述第二条件为抽真空或抽真空后再置于保护气氛；d）将步骤c）长晶后得到的粗晶进行退火并降温降至室温，得到晶体。 | ||
| 地址 | 212216 江苏省镇江市扬中市油坊镇新材料工业园区 | ||