| 发明名称 | 一种单晶硅太阳能电池片的干法刻蚀工艺 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种单晶硅太阳能电池片的干法刻蚀工艺。其特点是，包括如下步骤：（1）将装好硅片的夹具放入等离子体刻蚀机腔体，硅片数量200～1000片；（2）抽真空；（3）通入反应气体CF<sub>4</sub>和O<sub>2</sub>，控制CF<sub>4</sub>流量在190-210sccm，O<sub>2</sub>流量25-35sccm，直至工作压力达到200-220psig；（4）辉光放电，气体反应；（5）再次抽真空，然后恢复常压；（6）打开腔体门，取出夹具，卸片即可。本发明提供了一种物理冶金法单晶硅太阳能电池片的干法刻蚀工艺，适用于125×125mm物理冶金法单晶硅太阳能电池，采用该工艺可以去除扩散后硅片边缘的短路环，使刻蚀后的硅片符合工艺要求，杜绝过刻或刻不透。 | ||
| 申请公布号 | CN103746029A | 申请公布日期 | 2014.04.23 |
| 申请号 | CN201310721765.X | 申请日期 | 2013.12.24 |
| 申请人 | 宁夏银星能源股份有限公司 | 发明人 | 任春兰;田治龙;曲岩;葛瑞丽;何晓玢 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 宁夏专利服务中心 64100 | 代理人 | 赵明辉 |
| 主权项 | 一种单晶硅太阳能电池片的干法刻蚀工艺，其特征在于，包括如下步骤：（1）将装好硅片的夹具放入等离子体刻蚀机腔体，硅片数量200～1000片；（2）抽真空；（3）通入反应气体CF<sub>4</sub>和O<sub>2</sub>，控制CF<sub>4</sub>流量在190‑210sccm，O<sub>2</sub>流量25‑35sccm，直至工作压力达到200‑220psig；（4）辉光放电，气体反应；（5）再次抽真空，然后恢复常压；（6）打开腔体门，取出夹具，卸片即可。 | ||
| 地址 | 750021 宁夏回族自治区银川市西夏区六盘山西路166号 | ||