一种改进的差分架构SONOS Flash存储单元

摘要

本发明公开了一种改进的差分架构SONOSFlash存储单元，包括两个完全相同的SONOS晶体管M1和M2，所述M1和M2的栅极相连，作为整个存储单元的字线，所述M1和M2的漏极分别连接存储单元的两根源线SL1和SL2，所述M1和M2的源极分别作为存储单元的两根位线BL1和BL2。本发明采用差分架构，有效地扩大了读操作时的可区分电流范围，存储单元支路的阻抗匹配更好，稳定性更高。

主权项

一种改进的差分架构SONOS Flash存储单元，其特征在于：包括两个完全相同的SONOS晶体管M1和M2，所述M1和M2的栅极相连，作为整个存储单元的字线，所述M1和M2的漏极分别连接存储单元的两根源线SL1和SL2，所述M1和M2的源极分别作为存储单元的两根位线BL1和BL2。