前电极绕射式局域背场钝化晶体硅电池的制备方法

摘要

本发明公开了一种前电极绕射式局域背场钝化晶体硅电池的制备方法，在硅片衬底上通过激光器在前电极主栅位置打出一列排布均匀的空洞，取代主栅电极并把指栅电极引到电池背面，起到减小前主栅电极遮光面积并把前电极放在背面的目的；在硅片背面通过原子层沉积或PECVD方式沉积一层Al₂O₃，起到钝化电池背表面的作用，在该膜表面沉积一层较厚的SiNx，起到保护Al₂O₃钝化效果的目的，随后设计背面开膜图形，通过激光或化学腐蚀的方式制备出背面电极导电窗口；依次印刷背电极、背面匹配型铝背场、背面的前电极和正面指栅电极，优化印刷和烧结工艺，使电极接触区域形成较好的填充效果。

主权项

一种前电极绕射式局域背场钝化晶体硅电池的制备方法，其特征在于，所述方法依次包括如下步骤：（1）选用电阻率为1～3Ω·cm的P型单晶硅片作衬底，采用绿光激光器从硅片背面开孔若干列，开孔直径为1.2～2.2mm，每列孔间距为8～20mm；（2）对硅片制绒，并通过高温扩散在硅片上制备方块电阻值为85～95Ω/□的P‑N结；所述高温扩散参数为：扩散温度为800～850℃，扩散时间为30～40min，扩散后进行退火，退火时间为1200～1700s；（3）去除硅片背面P‑N结并对硅片背面抛光；（4）在抛光的硅片背面沉积一层厚度为5～15nm的Al₂O₃膜；经退火处理后用PECVD法在Al₂O₃膜上镀一层厚度为120～180nm的SiNx保护膜，然后在硅片正面镀一层厚度为75～80μm的SiNx减反射膜；（5）设计硅片背面开膜图形：线宽为为30～45μm，线间距为1000～1300μm；采用激光器或化学腐蚀法对硅片进行开膜；（6）在硅片上依次印刷背电极浆料、绕射到背面的前主栅电极浆料、局域背场钝化铝浆、正面电极浆料；然后进行烧结；印刷背电极浆料烧结后形成背电极；绕射到背面的前主栅电极浆料经烧结形成前电极；局域背场钝化铝浆烧结后形成铝背导电层；正面电极浆料烧结形成电极接触。（7）用P秒激光器把绕射到背面的前主栅电极浆料经烧结形成的前电极和局域背场钝化铝浆烧结后形成的铝背导电层未分开的区域隔离开。