| 发明名称 | 一种基于镓掺杂氧化锌纳米线阵列的波长可调节发光二极管及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种镓掺杂氧化锌纳米线阵列的波长可调节发光二极管及其制备方法。该镓掺杂氧化锌纳米线阵列的波长可调节发光二极管包括p型导电基片，位于p型导电基片上的镓掺杂氧化锌纳米线阵列和底电极，以及位于镓掺杂氧化锌纳米线阵列上的顶电极。该镓掺杂氧化锌纳米线阵列波长可调节发光二极管的制备方法包括：提供一p型导电基片；在p型导电基片上通过控制镓掺杂氧化锌纳米线阵列的镓掺杂量，进行镓掺杂氧化锌纳米线阵列生长；在生长的镓掺杂氧化锌纳米线阵列上旋涂一层阻挡层；刻蚀去除包裹在镓掺杂氧化锌纳米线阵列顶部的阻挡层；在镓掺杂氧化锌纳米线阵列顶部沉积顶电极；去除部分区域的镓掺杂氧化锌纳米线阵列，露出p型导电基片，在露出的p型导电基片上制作底电极。 | ||
| 申请公布号 | CN103746056A | 申请公布日期 | 2014.04.23 |
| 申请号 | CN201310740552.1 | 申请日期 | 2013.12.28 |
| 申请人 | 华中科技大学 | 发明人 | 高义华;张翔晖;王玉梅;李璐颖;苏俊;刘逆霜 |
| 分类号 | H01L33/28(2010.01)I;H01L33/24(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/28(2010.01)I |
| 代理机构 | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人 | 朱仁玲 |
| 主权项 | 一种镓掺杂氧化锌纳米线阵列的波长可调节发光二极管，包括p型导电基片，位于p型导电基片上的镓掺杂氧化锌纳米线阵列和底电极，以及位于镓掺杂氧化锌纳米线阵列上的顶电极。 | ||
| 地址 | 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号 | ||