发明名称 一种准三维微、纳米柱阵列的制作方法
摘要 本发明公开了一种准三维微、纳米柱阵列的制作方法,属于微、纳米材料及其制备技术领域,特别是指一种微、纳米蘑菇头有序阵列的制造方法。该制造方法结合弹性体和注塑成型技术,使用具有微、纳米坑阵列的耐高温弹性体模板在热塑性材料基底表面热压后冷却,或在弹性体表面浇注所要加工的材料后固化,分离模板和成品后制得准三维微、纳米结构。本发明具备操作简便快速、制作成本低廉、可控性强、可重复性好、适用材料广泛等特点,适用于超亲/超疏水表面、表面等离子体传感器、表面增强拉曼光谱、太阳能电池等领域,为此类准三维微/纳米结构的产品化提供了条件。
申请公布号 CN103738913A 申请公布日期 2014.04.23
申请号 CN201310747737.5 申请日期 2013.12.31
申请人 中山大学 发明人 周建华;潘益;李万博
分类号 B81C1/00(2006.01)I 主分类号 B81C1/00(2006.01)I
代理机构 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 代理人 任重
主权项 一种准三维微米或纳米柱阵列的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:S1. 制备准三维微、纳米柱阵列的原始模板,S2. 将弹性材料的预聚体涂于步骤S1所得的原始模板上,放入烘箱或热压机中加热,冷却,脱模后,得反相的微、纳米坑阵列的弹性印章;S3. 加入所需的材料,通过步骤S2所得的弹性印章为模板,充满,固化,脱模后,制得准三维微、纳米柱阵列。
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