一种大尺寸图形化衬底芯片的制作方法

摘要

本发明提供的一种大尺寸图形化衬底芯片的制作方法，其在外延生长N型半导体层前，先采用光刻工艺将衬底表面分割成若干个方格子，而后在分割成的方格子四周用激光划出一定深度的沟道，大尺寸衬底通过这样的处理后，再进行外延层生长时，外延层被彼此相互隔开，都是在独立的方格子上生长，这样就有利于衬底应力的释放，衬底就不会再受到外延层的拉扯应力，从而避免了大尺寸衬底芯片制作过程中，外延生长时翘曲严重问题的发生，进而使外延层衬底受热均匀，芯片的光电性能大幅提高。

主权项

一种大尺寸图形化衬底芯片的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：1)提供一图形化衬底，在所述衬底上生长缓冲层；2)在所述缓冲层上生长氧化硅薄膜；3)光刻步骤2）得到的衬底，将其表面分割成若干个方格子，并暴露出缓冲层；4)在所述方格子四周的缓冲层内形成沟道；5)对所述形成的沟道进行清洗；6)去除所述方格子表面的氧化硅薄膜；7)在步骤6）得到的衬底上依次生长N型半导体层、量子阱层及P型半导体层。