| 发明名称 | 定义多晶硅生长方向的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及定义多晶硅生长方向的方法。该定义多晶硅生长方向的方法包括：步骤1、在基板上形成缓冲层；步骤2、在该缓冲层上形成非晶硅薄膜；步骤3、使该非晶硅薄膜表面形成规律的非晶硅凸起部；步骤4、经由准分子镭射退火使该非晶硅薄膜形成多晶硅。本发明定义多晶硅生长方向的方法能够控制多晶硅形成时的生长方向，进而可以提高多晶硅晶粒大小。 | ||
| 申请公布号 | CN103745916A | 申请公布日期 | 2014.04.23 |
| 申请号 | CN201310747070.9 | 申请日期 | 2013.12.30 |
| 申请人 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 发明人 | 余威 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人 | 林才桂 |
| 主权项 | 一种定义多晶硅生长方向的方法，其特征在于，包括：步骤1、在基板上形成缓冲层；步骤2、在该缓冲层上形成非晶硅薄膜；步骤3、使该非晶硅薄膜表面形成规律的非晶硅凸起部；步骤4、经由准分子镭射退火使该非晶硅薄膜形成多晶硅。 | ||
| 地址 | 518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9—2号 | ||