铜基引线及载有铜基引线的半导体封装结构

摘要

本发明公开了一种铜基引线，包括芯材和包覆于所述芯材外表面上的被覆层，其中，所述芯材为由含杂质的铜、以及微量合金元素组合制成的合金体，该微量合金元素可以为Ag、Au、Pd和Pt中的任意一种或多种组合，也可以为Al和Mg中的任意一种或两种组合；所述被覆层的材质为Au、Pd和Pt中的任意一种或多种组合，另位于同一方向上的所述被覆层的截面积为占该铜基引线截面积的0.04%～0.2%，且所述被覆层外表面上含有的铜浓度为20at%～70at%，所述被覆层的RMS表面光洁度为1.0nm～4.0nm，从而使该铜基引线不仅具有良好的高温高湿可靠性、粘合性，而且还能够有效防止芯片损坏现象，大大提高了铜基引线以及半导体封装结构的产品良率。

主权项

一种铜基引线，包括芯材，所述芯材为由含杂质的铜、以及微量合金元素组合制成的合金体；其特征在于：按重量百分比计，该微量合金元素为0.1wt%～3.5wt%的A组合金元素和0.03wt%～0.7wt%的B组合金元素中的一种，其中，该A组合金元素为Ag、Au、Pd和Pt中的任意一种或多种组合，该B组合金元素为Al和Mg中的任意一种或两种组合。