水热法生长CuI单晶的矿化剂及CuI晶体生长方法

摘要

本发明公开了一种用于水热法生长CuI单晶的矿化剂及CuI晶体生长方法。所述的矿化剂为氯化铵和溴化铵的混合物，其中溴化铵的含量为0～90%之间，该矿化剂溶于水所形成的水溶液可以应用于水热法生长CuI晶体，生长的CuI晶体为γ相。生长方法为：在100～230℃和1.9～30Mpa条件下，加入氯化铵和溴化铵混合物的水溶液，利用低温水热法实现优质CuI晶体的生长。得到的CuI晶体可以用于宽禁带半导体光电子器件制作上，同时还可以作为超快闪烁晶体用于超高计数率电子束及γ和X射线测量中。由于提供的水热法生长CuI单晶的矿化剂水溶液在空气中比较稳定，因此有利于矿化剂的重复使用，从而降低晶体生长成本。

主权项

一种用于水热法生长CuI单晶的矿化剂及CuI晶体生长方法，其特征在于：所述的矿化剂为氯化铵和溴化铵的混合物，其中溴化铵的含量为0～90%之间，该矿化剂溶于水所形成的矿化剂水溶液可以应用于水热法生长CuI晶体。