一种分子铁电薄膜及其溶液浸泡生长方法

摘要

本发明公开了一种分子铁电薄膜及其溶液浸泡生长方法。所述的薄膜为晶体薄膜，具备铁电性，其组成物质为有机-无机化合物分子铁电体。将分子铁电体溶液与清洁的基片相接触，并均匀地在基片上铺展且蒸发以获得均匀的薄膜，并将制得的均匀薄膜与质量浓度不小于其饱和时90%的该分子铁电体溶液相接触一定时间。本发明的意义在于，采用溶液浸泡生长法制备的分子铁电薄膜具备良好的铁电性，可以利用外加电场反转薄膜任意特定区域的极化方向，实现基于铁电效应的数据存储。本发明在铁电存储器领域具备潜在的应用价值。

主权项

一种分子铁电薄膜，其特征在于所述的铁电薄膜具有铁电性，所述薄膜为晶体薄膜，具备自发极化，且所述薄膜任意区域的极化方向可被外电场反转。