制造电路的方法及集成电路

摘要

本发明公开了一种相变化存储器结构单元的操作方法、数据读取方法及集成电路。该集成电路相变化存储器可以通过引入第一电阻态于一些结构单元及存储器中，及第二电阻态于一些其它的结构单元及存储器中，来被预编码，以代表一数据组。在编码数据组之后，此集成电路相变化存储器被安装在衬底上，然后通过感测第一及第二电阻态，数据组可被读取，并将第一电阻态的结构单元转变成第三电阻态，将第二电阻态转变成第四电阻态。在焊接或其它热循环程序之后，第一及第二电阻态仍保持在感测限度内。使用适用于电路任务功能的高速率及低功率，第三及第四电阻态具有导致过渡态的能力。

主权项

一种用来制造一电路的方法，其特征在于：该电路包括一集成电路相变化存储器，该方法包括：通过在该存储器的部分结构单元中引发一较低电阻态，及在该存储器的其它部分结构单元中引发一较高电阻态，以在该集成电路相变化存储器中编码一数据组；在该编码之后，在一衬底上安装该集成电路相变化存储器；在该安装之后，通过感测一第一及一第二电阻态，来读取该数据组，其中该第一及该第二电阻态分别对应该较低电阻态及该较高电阻态；以及在该感测之后，改变在该第一电阻态的结构单元成为一第三电阻态，并改变该第二电阻态的结构单元成为一第四电阻态。