干式积层陶瓷电容器的漏电流特性改善方法

摘要

干式积层陶瓷电容器的漏电流特性改善方法，包括晶片准备阶段;指定晶片上的电极层和电介层的积层层数阶段;在晶片上形成初始绝缘层的阶段；在初始绝缘层上形成电极层的阶段；在电极层上形成电介层的阶段；电极层和电介层反复实施积层的阶段；积层后，电极层和电介层热处理的阶段；热处理后形成保护层的阶段；形成保护层后，晶片背面研磨阶段；晶片背面研磨后以芯片形态切割阶段；切割后的芯片形成外部电极的阶段。本发明在形成内部电极的阶段中形成扩散防止膜，外部环境有变化时防止内部电极物质向电介层内扩散，另外，电介层的非晶体化，内部电极层和电介层的积层完成后做适当的热处理，提供了漏电流特性更高的高品质电容器的制造方法。

主权项

干式积层陶瓷电容器的漏电流特性改善方法，包括以下步骤：S1：晶片准备阶段;S2:指定晶片上的电极层和电介层的积层层数阶段;S3：在晶片上形成初始绝缘层的阶段；S4：在初始绝缘层上形成电极层的阶段；S5：在电极层上形成电介层的阶段；S6：电极层和电介层反复实施积层的阶段；S7：积层后，电极层和电介层热处理的阶段；S8：热处理后形成保护层的阶段；S9：形成保护层后，晶片背面研磨阶段；S10：晶片背面研磨后以芯片形态切割阶段；S11：切割后的芯片形成外部电极的阶段。