| 发明名称 | 具有多个解耦等离子体源的半导体处理系统 | ||
| 摘要 | 一种半导体衬底处理系统包括衬底支撑件，该衬底支撑件被限定来支撑暴露于处理区域的衬底。该系统还包括第一等离子体室，该第一等离子体室被限定来产生第一等离子体并将所述第一等离子体的反应性成分供应到所述处理区域。该系统还包括第二等离子体室，该第二等离子体室被限定来产生第二等离子体并将所述第二等离子体的反应性成分供应到所述处理区域。所述第一和第二等离子体室被限定为是独立受控的。 | ||
| 申请公布号 | CN103748665A | 申请公布日期 | 2014.04.23 |
| 申请号 | CN201280022675.5 | 申请日期 | 2012.05.07 |
| 申请人 | 朗姆研究公司 | 发明人 | 约翰·帕特里克·霍兰;彼得·L·G·温特泽克;哈梅特·辛格;理查德·戈特朔 |
| 分类号 | H01L21/306(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/306(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人 | 李献忠 |
| 主权项 | 一种半导体衬底处理系统，其包括：衬底支撑件，其被限定来支撑暴露于处理区域的衬底；第一等离子体室，其被限定来产生第一等离子体，并将所述第一等离子体的反应性成分供应到所述处理区域；以及第二等离子体室，其被限定来产生第二等离子体，并将所述第二等离子体的反应性成分供应到所述处理区域；其中，所述第一和第二等离子体室被限定为是独立受控的。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||