半导体芯片

摘要

本发明提供一种半导体芯片及半导体晶片。一种半导体芯片，其包括在基板上形成的元件形成区、围绕所述元件形成区的划线区以及在半导体芯片的至少一个拐角区域中的划线区中局部提供的结构。元件形成区和划线区包括在基板上层压的多个层间介电膜。所述结构由拐角衬垫和互连拐角衬垫的通孔构成，其中，所述拐角衬垫在层压方向上垂直地夹持所述层间介电膜中的至少一个。

主权项

一种半导体芯片，包括：元件形成区，其形成在基板上；划线区，其围绕所述元件形成区；以及密封环区，其位于所述元件形成区与所述划线区之间，并且围绕所述元件形成区，其中，所述元件形成区、所述密封环区和所述划线区包括在所述基板上层压的多个层间介电膜，其中，所述划线区的第一边缘和第二边缘分别在第一方向和与所述第一方向交叉的第二方向上延伸，使得所述第一边缘和所述第二边缘在划线的拐角区域交叉，并且其中，在所述拐角区域的划线区中，局部地提供由第一和第二拐角衬垫以及互连所述拐角衬垫的通孔构成的结构，使得所述第一和第二拐角衬垫的每一个包括沿着在所述第一边缘延伸的第一部分和沿着所述第二边缘延伸的第二部分以便形成局部地设置在所述划线的拐角区域中的L形，其中所述第一和第二拐角衬垫在层压方向上垂直地夹持第一层间介电膜。