使用自旋MOS晶体管的非易失性存储器电路

摘要

本发明提供使用自旋MOS晶体管的非易失性存储器电路，其具备：第一p沟道MOS晶体管，具有作为源极和漏极中的一个的第一电极和作为另一个的第二电极；第二p沟道MOS晶体管，具有作为源极和漏极中的一个的第三电极和作为另一个的第四电极；第一n沟道自旋MOS晶体管，具有作为源极和漏极中的一个的第五电极和作为另一个的第六电极；第二n沟道自旋MOS晶体管，具有作为源极和漏极中的一个的第七电极和作为另一个的第八电极；第一n沟道MOS晶体管，具有作为源极和漏极中的一个的第九电极和作为另一个的第十电极；以及第二n沟道MOS晶体管，具有作为源极和漏极中的一个的第十一电极和作为另一个的第十二电极。

主权项

一种非易失性存储器电路，其特征在于，其具备：第一p沟道MOS晶体管，具有作为源极和漏极中的一个的第一电极和作为另一个的第二电极，所述第一电极被连接到第一布线；第二p沟道MOS晶体管，具有作为源极和漏极中的一个的第三电极和作为另一个的第四电极，所述第三电极被连接到所述第一布线，所述第四电极被连接到所述第一p沟道MOS晶体管的栅极，该第二p沟道MOS晶体管的栅极被连接到所述第一p沟道MOS晶体管的所述第二电极；第一n沟道自旋MOS晶体管，具有作为源极和漏极中的一个的第五电极和作为另一个的第六电极，所述第五电极被连接到第二布线，所述第六电极被连接到所述第一p沟道MOS晶体管的所述第二电极，该第一n沟道自旋MOS晶体管的栅极被连接到所述第二p沟道MOS晶体管的所述第四电极；第二n沟道自旋MOS晶体管，具有作为源极和漏极中的一个的第七电极和作为另一个的第八电极，所述第七电极被连接到所述第二布线，所述第八电极被连接到所述第二p沟道MOS晶体管的所述第四电极，该第二n沟道自旋MOS晶体管的栅极被连接到所述第一p沟道MOS晶体管的所述第二电极；第一n沟道MOS晶体管，具有作为源极和漏极中的一个的第九电极和作为另一个的第十电极，所述第九电极被连接到所述第一p沟道MOS晶体管的所述第二电极，所述第十电极被连接到第三布线，该第一n沟道MOS晶体管的栅极被连接到第四布线；以及第二n沟道MOS晶体管，具有作为源极和漏极中的一个的第十一电极和作为另一个的第十二电极，所述第十一电极被连接到所述第二p沟道MOS晶体管的所述第四电极，所述第十二电极被连接到第五布线，该第二n沟道MOS晶体管的栅极被连接到所述第四布线，根据所述第一n沟道自旋MOS晶体管和所述第二n沟道自旋MOS晶体管的电阻状态，取得2值的存储器状态。