一种节省中低电压的VDMOSFET芯片面积的方法

摘要

本发明公开了一种节省中低电压的VDMOSFET芯片面积的方法，能够在保证VDMOS器件的电学特性的同时，减小制造成本；首先在多晶硅上通过腐蚀形成有源区域（1a）和未腐蚀的区域（1b）；在有源区域（1a）上通过沉积形成多晶硅区域（2），多晶硅区域（2）包括多晶硅引线区域（2a）和多晶硅终端结构区域（2b）；在多晶硅引线区域（2a）下方、以及多晶硅引线区域（2a）与多晶硅终端结构区域（2b）之间的下方通过扩散形成N+源区（3）；在多晶硅区域上形成接触孔（4）；在有源区域（1a）上形成金属电极（5），所述金属电极（5）延伸覆盖所有接触孔（4），通过所述金属电极（5）与N+源区（3）连接；所述金属电极（5）与多晶硅终端结构区域（2b）部分重叠。

主权项

一种节省中低电压的VDMOSFET芯片面积的方法，其特征在于，包括如下步骤：在多晶硅上通过腐蚀形成有源区域（1a）和未腐蚀的区域（1b）；在有源区域（1a）上通过沉积形成栅氧化层区域（2c）和多晶硅区域（2），其中多晶硅区域（2）位于栅氧化层区域（2c）上方；多晶硅区域（2）包括多晶硅引线区域（2a）和多晶硅终端结构区域（2b）；在多晶硅终端结构区域（2b）和未腐蚀的区域（1b）之间通过扩散形成终端扩散区6；在多晶硅引线区域（2a）下方、以及多晶硅引线区域（2a）与多晶硅终端结构区域（2b）之间的下方通过扩散形成N+源区3；在多晶硅区域2上形成保护膜，通过腐蚀所述保护膜后形成接触孔4；在有源区域（1a）上形成金属电极（5），所述金属电极（5）延伸覆盖所有接触孔（4），通过所述金属电极（5）与N+源区（3）连接；所述金属电极（5）与多晶硅终端结构区域（2b）部分重叠。