| 发明名称 | 抗蚀剂图案改善材料、抗蚀剂图案形成方法、半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及抗蚀剂图案改善材料、抗蚀剂图案形成方法、半导体装置及其制造方法。本发明涉及的抗蚀剂图案改善材料包含水和由以下通式(1)表示的氯化苄烷铵，其中n是8～18的整数。<img file="DDA0000133073220000011.GIF" wi="555" he="290" />通式(1)。 | ||
| 申请公布号 | CN102681338B | 申请公布日期 | 2014.04.23 |
| 申请号 | CN201210020305.X | 申请日期 | 2012.01.29 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 野崎耕司;小泽美和 |
| 分类号 | G03F7/004(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/004(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 丁香兰;庞东成 |
| 主权项 | 1.一种抗蚀剂图案改善材料，所述抗蚀剂图案改善材料包含：水；和由以下通式(1)表示的氯化苄烷铵：<img file="FDA0000420654970000011.GIF" wi="578" he="313" />通式(1)其中，n是8～18的整数，其中，相对于100质量份的水，由通式(1)表示的所述氯化苄烷铵的量为0.05质量份～0.5质量份。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县川崎市 | ||