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发明名称 非挥发性半导体记忆装置及其制造方法
摘要
申请公布号 TWI435442 申请公布日期 2014.04.21
申请号 TW098127627 申请日期 2009.08.17
申请人 东芝股份有限公司 日本 发明人 胜又龙太;鬼头杰;福住嘉晃;木藤大;田中启安;石月惠;小森阳介;青地英明;松冈泰之
分类号 H01L27/115;H01L21/8247 主分类号 H01L27/115
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项
地址 日本
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