摘要 |
Полупроводниковая наногетероструктура InAlGaAs/InAlAs/InAs метаморфного буферного слоя на подложке арсенида галлия, включающей в себя стартовый слой четверного твердого раствора InAlGaAs, слой InAlGaAs, три многослойные механически напряженные сверхрешетки InAlGaAs/InAlAs с различной средней мольной долей арсенида индия и параметром кристаллической решетки и завершающий метаморфный слой тройного твердого раствора InAlAs, отличающаяся тем, что три последовательно расположенные сверхрешетки представляют собой чередующиеся слои InAlGaAs/InAlAs в соотношении толщин слоев четверного и тройного твердых растворов 2 к 1, 1 к 1 и 1 к 2 соответственно, ступенчато увеличивающие параметр кристаллической решетки в промежуточном диапазоне от стартового до завершающего слоев гетероструктуры, подавляют прорастание дислокаций несоответствия в верхние слои гетероструктуры и развитие микрорельефа поверхности гетероструктуры, а сверхтонкие слои InAs, обеспечивающие раннее формирование сети дислокаций несоответствия и их эффективное "залечивание" по мере выращивания гетероструктуры, помещены в начале каждого ступенчатого увеличения постоянной кристаллической решетки гетероструктуры. |