发明名称 Halbleiterlaufwerk mit Konvertierungsschicht (ETL) und Umleitung von temporären Dateien zur Verschleissminderung von Flashspeichern
摘要 Ein Flashlaufwerk erhält durch Verminderung der Anzahl von Schreibvorgängen auf den Flash eine längere Lebensdauer und Haltbarkeit. Ein Endurance Translation Layer (ETL–Konvertierungsschicht) wird in einem DRAM-Puffer erzeugt und ermöglicht temporäre Speicherung, um Flashverschleiß zu mindern. Ein Smart Storage Switch (SSS) Controller weist Datentypbits beim Kategorisieren von Hostzugriffen als vom Memory Management genutzte Paging-Dateien, temporäre Dateien, die File Allocation Table (FAT–Dateizuordnungstabelle) und File Descriptor Block(FDB–Dateibeschreibungsblock)-Einträge, sowie Nutzerdatendateien mittels Adressbereichen und Dateinamenerweiterungen, die aus der FAT ausgelesen werden, zu. Paging-Dateien und temporäre Dateien werden zu keiner Zeit auf den Flash geschrieben. Partial-Page-Daten werden gepackt und in Sektoren abgebildet durch Teilsektor-Mappingtabellen, auf die eine einheitliche Mappingtabelle zeigt, die die Datentypbits und Pointer auf Daten oder Tabellen im DRAM speichert. Die partiellen Sektoren werden gepackt, um die Nutzung des DRAM und den Verschleiß des Flashs zu vermindern. Ein Spare-/Swapbereich im DRAM vermindert Flashverschleiß. Bei Ausfall der Fehlerkorrektur werden Referenzspannungen angepasst.
申请公布号 DE102013106242(A1) 申请公布日期 2014.04.17
申请号 DE201310106242 申请日期 2013.06.14
申请人 INFOMICRO ELECTRONICS INDUSTRIAL PARK (SHENZHEN) LTD. 发明人 YU, FRANK;MA, ABRAHAM C.;CHEN, SHIMON
分类号 G06F12/16 主分类号 G06F12/16
代理机构 代理人
主权项
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