Licht-emittierende Halbleiterstruktur und opto-elektronisches Bauelement daraus

摘要

Licht-emittierendes Halbleiterbauelement, aufweisend–ein SOI-Substrat, umfassend: eine Trägerschicht, eine vergrabene Oxidschicht auf der Trägerschicht und eine dotierte Silizium-Schichtstruktur eines Leitfähigkeitstyps, umfassend mindestens zwei aneinander grenzende Silizium- oder Siliziumgermaniumschichten, in deren Grenzbereich ein Versetzungsnetzwerk ausgebildet ist, an welchem bei Injektion von Minoritätsladungsträgern eine strahlende Ladungsträgerrekombination mit einer Lichtenergie stattfindet, die geringer als eine Bandlückenenergie der Silizium- oder Siliziumgermaniumschichten ist, sowie–einen Kollektor und einen Injektor, wobei der Kollektor im Bereich zwischen dem Versetzungsnetzwerk und einer von der Trägerschicht abgewandten Oberfläche der Silizium-Schichtstruktur als pn-Übergang ausgebildet ist, und der Injektor als Metall-Isolator-Halbleiter-Diode, nachfolgend als MIS-Diode bezeichnet, ausgeführt ist, dadurch gekennzeichnet, dass die Silizium-Schichtstruktur aus zwei über ein Bondingverfahren miteinander verbundenen Halbleiterscheiben hergestellt ist und die beiden Halbleiterscheiben um einen jeweiligen Winkel zueinander verdreht und/oder verkippt sind.