| 发明名称 | 一种降低掺鎵硅单晶氧含量的装置 | ||
| 摘要 | 本实用新型为一种降低掺鎵硅单晶氧含量的装置，该装置常规单晶炉上新增2个上排气孔，上排气孔垂直位于下排气孔之上，上排气孔与下排气孔的间距为L＝150-200mm，2个上排气孔通过上排气管道与上真空泵相连。本实用新型所述的降低掺鎵硅单晶氧含量的装置能在保证单晶高寿命的同时显著降低氧含量。试验结果表明本装置在实现少子寿命提高8微秒的前提下可以降低氧含量1.9ppma。 | ||
| 申请公布号 | CN203546197U | 申请公布日期 | 2014.04.16 |
| 申请号 | CN201320782064.2 | 申请日期 | 2013.11.27 |
| 申请人 | 任丽;任丙彦 | 发明人 | 任丽;任丙彦 |
| 分类号 | C30B15/00(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I | 主分类号 | C30B15/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 天津翰林知识产权代理事务所(普通合伙) 12210 | 代理人 | 赵凤英 |
| 主权项 | 一种降低掺鎵硅单晶氧含量的装置，其特征为该装置为在常规单晶炉上新增2个上排气孔，上排气孔垂直位于下排气孔之上，上排气孔与下排气孔的间距为L＝150‑200mm，2个上排气孔通过上排气管道与上真空泵相连。 | ||
| 地址 | 300091 天津市红桥区北开花园6-1005 | ||