从MEMS空腔底部消除硅残留物

摘要

本发明通常涉及一种来自附着力促进剂材料的硅残留物从空腔底部减少或甚至消除的MEMS装置。附着力促进剂典型地用于将牺牲材料粘附到衬底上的材料。然后，将附着力促进剂与牺牲材料层一起移除。然而，在移除时附着力促进剂在空腔内留下基于硅的残留物。本发明人发现可以在沉积牺牲材料之前将附着力促进剂从空腔区域移除。残留在衬底的剩余部分上的附着力促进剂足以将牺牲材料粘附到衬底，而不用担心牺牲层脱层。因为在装置的空腔区域中不使用附着力促进剂，所以在解放MEMS装置的开关元件之后在空腔内不会存在硅残留物。

主权项

一种制造MEMS装置的方法，包括：在具有包围在空腔内的第一部分和设置在所述空腔外部的第二部分的衬底上沉积粘附层；移除设置在所述第一部分上的区域中的所述粘附层；在所述粘附层和所述衬底的第一部分上沉积牺牲层；在所述牺牲层上形成开关元件；将所述开关元件包围在所述空腔内；并移除所述牺牲层。