复合栅介质SiC MISFET器件的制作方法

摘要

本发明公开了一种复合栅结构SiC MISFET器件的制作方法，对P型SiC外延片进行标准湿法清洗；通过高温离子注入形成源漏N+掺杂；通过干氧氧化方法生长一层SiO2薄膜，形成底层栅介质；在ECRPE-MOCVD系统中对生长的SiO₂薄膜进行N等离子体处理；利用原子层淀积ALD方法淀积Al₂O₃介质膜，形成顶层栅介质；源漏区域光刻，去掉源漏欧姆接触区域的复合栅介质层，在电子束反应蒸发室中蒸发形成源漏欧姆接触金属，并剥离形成源漏欧姆接触；在复合栅介质层上面蒸发形成栅金属，剥离形成栅图形，完成器件的制作。改善了SiC MISFET器件界面特性并提高了MIS器件沟道迁移率，可用于大规模SiC MIS器件和电路的制作。

主权项

一种复合栅结构SiCMISFET器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：A1基片表面清洗：对P型SiC外延片样品的表面进行标准湿法工艺清洗：A2源漏高温离子注入以及退火激活：在表面被清洗过的P型SiC外延片样品表面涂光刻胶，刻出源、漏高温离子注入区域，然后进行源漏高温P+离子注入以及离子注入退火激活：A3源漏欧姆接触的形成：在进行源漏高温离子注入以及退火激活之后，在SiC样品P型外延层表面涂光刻胶、刻出源漏欧姆接触孔，然后进行源漏欧姆接触金属的淀积，剥离形成源漏欧姆接触，并进行合金退火：A4复合栅介质层生长：将进行源漏欧姆接触后的SiC样品表面进行大面积HF酸清洗，然后进行Al₂O₃/Nitrided‑SiO₂复合栅介质层的生长：A5栅图形的形成：在生长完复合栅介质的基片表面涂剥离胶、光刻胶光刻出栅区域，电子束蒸发形成栅金属，然后剥离实现栅图形；A6电极制作。