一种形成接触孔的方法

摘要

本发明提供一种形成接触孔的方法，涉及半导体技术领域。该方法包括：步骤S101：提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有接触孔刻蚀阻挡层、层间介电层、图案化的掩膜层；步骤S102：以所述图案化的掩膜层为掩膜蚀刻所述层间介电层，以形成层间介电层的开口；步骤S103：对所述接触孔刻蚀阻挡层进行第一刻蚀处理，去除掉要形成接触孔的位置的部分接触孔刻蚀阻挡层；步骤S104：对所述接触孔刻蚀阻挡层进行第二刻蚀处理，去除掉要形成接触孔的位置的剩余部分的接触孔刻蚀阻挡层，以形成接触孔刻蚀阻挡层的开口；其中，所述第二刻蚀处理的刻蚀选择比高于所述第一刻蚀处理的刻蚀选择比。所述方法提高了接触孔的刻蚀速率和产品良率。

主权项

一种形成接触孔的方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S101：提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有接触孔刻蚀阻挡层、层间介电层、图案化的掩膜层；步骤S102：以所述图案化的掩膜层为掩膜蚀刻所述层间介电层，以形成层间介电层的开口；步骤S103：对所述接触孔刻蚀阻挡层进行第一刻蚀处理，去除掉要形成接触孔的位置的部分接触孔刻蚀阻挡层；步骤S104：对所述接触孔刻蚀阻挡层进行第二刻蚀处理，去除掉要形成接触孔的位置的剩余部分的接触孔刻蚀阻挡层，以形成接触孔刻蚀阻挡层的开口，所述接触孔刻蚀阻挡层的开口与所述层间介电层的开口共同构成了所述接触孔；其中，所述第二刻蚀处理的刻蚀选择比高于所述第一刻蚀处理的刻蚀选择比。